时间：2025/6/13 14:23:43
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JMK325BJ226KM-T是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。同时，它还具有出色的热性能和电气性能，使其在各种严苛的工作环境下仍能保持稳定运行。
型号：JMK325BJ226KM-T
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-263
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
总功耗(Ptot)：75W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
栅极电荷(Qg)：48nC
JMK325BJ226KM-T作为一款N通道功率MOSFET，具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)为2.5mΩ），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，栅极电荷较小（Qg=48nC），适用于高频应用。
3. 优化的热性能，确保在大电流和高功率条件下稳定运行。
4. 支持宽范围的工作温度（-55℃至+150℃），适应多种恶劣环境。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 提供出色的雪崩能力和抗静电能力，增强产品的可靠性和安全性。
该芯片适用于以下应用场景：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 直流/直流转换器(DC-DC Converter)中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
6. 各类高效能电子设备中的功率管理模块。
JMK325BJ226KM-D, IRF2807ZPBF, FDP55N10E
