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JMK212BJ226KG-T 发布时间 时间:2025/4/30 16:47:43 查看 阅读:5

JMK212BJ226KG-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式适合高密度组装需求,适用于工业控制、消费电子以及汽车电子等场景。
  该芯片通过优化设计,降低了开关损耗,并提升了整体系统效率,使其在高频开关应用中表现出色。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-252
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ
  Ids(连续漏极电流):30A
  Vgs(栅源电压):±20V
  功耗:36W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装引脚数:3

特性

JMK212BJ226KG-T 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够减少传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,支持高频工作环境。
  3. 出色的热稳定性,确保在高温条件下仍能可靠运行。
  4. 强大的电流承载能力,适合大功率应用场景。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 封装紧凑,易于集成到各类 PCB 设计中。

应用

JMK212BJ226KG-T 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)。
  3. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统,如电动助力转向和制动控制。
  6. 家用电器及消费类电子产品中的高效功率管理方案。

替代型号

IRFZ44N, AO3400A, FDP18N06L

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JMK212BJ226KG-T参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容22µF
  • 电压 - 额定6.3V
  • 容差±10%
  • 温度系数X5R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.053"(1.35mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-1468-6