JMK212BJ226KG-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式适合高密度组装需求,适用于工业控制、消费电子以及汽车电子等场景。
该芯片通过优化设计,降低了开关损耗,并提升了整体系统效率,使其在高频开关应用中表现出色。
类型:MOSFET
封装:TO-252
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ
Ids(连续漏极电流):30A
Vgs(栅源电压):±20V
功耗:36W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装引脚数:3
JMK212BJ226KG-T 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力,支持高频工作环境。
3. 出色的热稳定性,确保在高温条件下仍能可靠运行。
4. 强大的电流承载能力,适合大功率应用场景。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 封装紧凑,易于集成到各类 PCB 设计中。
JMK212BJ226KG-T 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)。
3. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统,如电动助力转向和制动控制。
6. 家用电器及消费类电子产品中的高效功率管理方案。
IRFZ44N, AO3400A, FDP18N06L