时间：2025/6/11 22:12:29
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JMK107BB7475MA-T 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压和快速开关速度等特性，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
这款 MOSFET 芯片具有 N 沟道增强型结构，能够显著降低系统能耗并提升整体性能。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：75V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大漏极电流(I_D)：8A
导通电阻(R_DS(on))：6mΩ
总功耗(P_TOT)：96W
工作温度范围(T_J)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
JMK107BB7475MA-T 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (R_DS(on))，有助于减少功率损耗，提高效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用。
3. 较宽的工作温度范围，确保在极端环境下仍能保持稳定运行。
4. 内置 ESD 保护功能，提升器件的抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合长期使用。
6. 封装坚固耐用，便于安装与散热设计。
该芯片适用于多种工业及消费类电子设备中：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器和充电器。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 逆变器模块，在太阳能发电系统和不间断电源(UPS)中有广泛应用。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 高效 DC/DC 转换器中的同步整流部分。
IRFZ44N
STP80NF06
FDP5800
