时间：2025/7/1 10:17:54
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JMK063B7472KP-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适用于高频开关应用场合。其封装形式为表面贴装类型，适合自动化生产和紧凑型设计需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7.5A
导通电阻：0.07Ω
栅极电荷：15nC
开关时间：典型值 45ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263（DPAK）
JMK063B7472KP-F 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，可承受高达 650V 的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻，仅为 0.07Ω，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
3. 快速的开关性能，栅极电荷低至 15nC，确保高频运行时的高效表现。
4. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境，从低温到高温均能稳定运行。
5. 表面贴装封装设计，便于自动化装配并节省空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
JMK063B7472KP-F 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的逆变桥臂元件。
3. LED 驱动器中的功率控制器件。
4. 各种工业设备中的功率管理模块。
5. 电池充电器和能量回收系统中的关键组件。
6. 电信设备中的电源管理单元。
JMK063B7472KP-E, IRFZ44N, FDP5500
