型号：JK30-090
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-8.2A
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ（@VGS=-10V）
　　导通电阻RDS(on)：60mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：75mΩ（@VGS=-2.5V）
　　阈值电压VGS(th)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容Ciss：450pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：150pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容Crss：40pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷Qg：12nC（@VGS=10V）
　　体二极管正向电压VSD：-1.2V（@IS=0.5A）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

JK30-090具备出色的电气性能和热稳定性，其核心特性之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=-10V条件下可低至45mΩ，显著降低导通损耗，提高系统整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并减少发热问题。即使在较低的驱动电压下（如-4.5V或-2.5V），其导通电阻仍保持在合理水平，表明该器件对逻辑电平信号具有良好的兼容性，适用于微控制器直接驱动的应用场景。
　　该器件采用P沟道结构，使其在高边开关（High-side Switch）配置中表现出色，无需额外的电荷泵电路即可实现负载连接到地的控制方式，简化了电源管理设计。其负的阈值电压范围（-1.0V至-2.0V）确保了在关断状态下具有较高的噪声容限，避免因噪声干扰导致误开启。同时，输入电容较小（Ciss=450pF），使得开关速度较快，开关损耗较低，适合高频开关应用。
　　JT30-090还内置了反并联体二极管，可在感性负载关断时提供续流路径，保护主开关免受反向电动势冲击。该二极管具有较低的正向压降（约-1.2V），有助于减少能量损耗。此外，SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的散热能力，在适当布局下可支持较高功率密度的应用。器件通过AEC-Q101可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子等高可靠性领域。
　　热稳定性方面，JK30-090在高温环境下仍能维持稳定的电气参数，结温可达150°C，确保在恶劣工况下的长期可靠运行。其静电放电（ESD）防护能力较强，通常HBM模型可达2kV以上，提升了在生产和使用过程中的抗扰度。综合来看，JK30-090是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的理想选择，特别适合用于移动设备中的电源切换、LED驱动、电机控制及各类低电压直流开关系统。

JK30-090广泛应用于各类需要高效、小型化电源开关控制的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中的电池电源管理模块，作为负载开关用于控制不同功能单元的供电通断，以实现节能待机或热插拔保护。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流器或高端开关元件，提升转换效率并减少发热。
　　此外，该器件也适用于工业控制领域的传感器供电模块、继电器驱动电路和小型电机控制回路，凭借其快速响应能力和低静态功耗，能够在实时控制系统中稳定运行。在汽车电子中，可用于车灯控制、车载信息娱乐系统的电源切换以及辅助电池管理系统（BMS）中的充放电控制单元。
　　由于其SOT-23封装的小尺寸特性，JK30-090非常适合空间受限的设计，例如微型物联网终端、无线传感器节点和智能家居设备中的电源管理部分。同时，其良好的温度适应性和抗干扰能力也使其适用于户外设备或高温环境下的电子控制系统。在测试与测量仪器中，可用作精密电源开关，确保信号通路的干净切断，防止漏电流影响测量精度。总之，任何需要低电压、低功耗、高集成度P沟道MOSFET的场合，JK30-090都是一个极具竞争力的选择。

AO3401A
　　Si2301DS
　　FDS6679A
　　FDG330N