型号：JG82875-SLH59
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：9A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：36A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（@VGS=10V, ID=4.5A）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1200pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：350pF
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SO-8

JG82875-SLH59具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为4.5mΩ，这显著降低了在大电流工作状态下的导通损耗，提升了整体系统的能效表现。该特性使其特别适用于高电流密度的应用场合，如同步整流DC-DC变换器和负载开关电路。此外，低RDS(on)还能减少发热，从而降低对散热设计的要求，有助于实现更小型化和轻量化的电源模块设计。
　　该器件具有良好的栅极电荷特性，总栅极电荷Qg较低，约为20nC（典型值），这意味着在高频开关操作中所需的驱动功率较小，能够有效减轻控制器的驱动负担，并支持更高的开关频率运行。这对于提升电源系统的功率密度和动态响应能力至关重要。同时，输入电容Ciss和输出电容Coss的匹配设计也优化了其在高速开关过程中的电磁兼容性（EMI）表现，减少了电压振铃和电流尖峰现象的发生。
　　热稳定性方面，JG82875-SLH59采用先进的封装工艺和芯片结构设计，确保在高温环境下仍能保持稳定的电气参数。其最大工作结温可达150°C，并配备有过温保护机制，防止因异常工况导致器件损坏。SO-8封装不仅体积小巧，还具备较好的热传导性能，可通过PCB布局中的散热焊盘进一步增强散热效果。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和耐压能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供一定程度的自我保护。其栅氧层经过强化处理，提高了对静电放电（ESD）的耐受能力，增强了在实际装配和使用过程中的可靠性。综合来看，JG82875-SLH59在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是一款适用于多种中低电压功率开关应用的理想选择。

JG82875-SLH59广泛应用于各类需要高效能功率开关的电子系统中。常见使用场景包括但不限于：同步整流式DC-DC降压或升压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为上管或下管使用；便携式设备的电池供电管理单元，用于负载开关或反向电流阻断；工业控制系统的电机驱动电路，用于驱动小型直流电机或步进电机的H桥结构；LED驱动电源中的恒流控制开关元件；以及各类开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器件。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于笔记本电脑主板、移动电源、充电器、智能家电控制板等内部的电源管理模块。由于其具备良好的高频响应能力和低静态功耗，也适合用于待机电源或辅助电源电路中，以提高整体系统的能源利用效率。
　　此外，在汽车电子领域，尽管该器件并非专为AEC-Q101认证设计，但仍可应用于非关键性的车载辅助系统，如车载USB充电模块、仪表盘电源管理、车载照明控制等场景。其稳定的温度特性和较强的抗干扰能力使其在复杂电磁环境中仍能保持可靠运行。
　　在通信设备和网络终端设备中，JG82875-SLH59也可用于PoE（Power over Ethernet）供电侧或受电侧的电源转换电路，配合控制器实现高效的能量传输。总体而言，该器件凭借其高性能参数和成熟的技术平台，已成为许多中低端功率应用中的主流选型之一。

AOZ82875DI,LX2875,SY82875