时间：2025/8/20 20:39:13
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JFE150DCKR是一款由JFET（结型场效应晶体管）构成的电子元器件，主要用于低噪声放大器、射频（RF）信号处理和模拟电路设计中。这款器件采用P沟道JFET结构，具有高输入阻抗和良好的线性性能，适用于需要高精度信号放大的应用场合。
类型：P沟道JFET
漏源电压（Vds）：15V
栅源电压（Vgs）：-1.5V至0V
漏极电流（Id）：最大10mA
输入电容（Ciss）：约5pF
输出电容（Coss）：约2pF
跨导（Gm）：典型值2.5mS
工作温度范围：-55°C至+150°C
JFE150DCKR的主要特性包括高输入阻抗，这对于信号源的负载影响非常小，从而保证了信号的完整性。
该器件还具有良好的线性度，使其成为低噪声放大器设计的理想选择，尤其是在射频前端电路中。
JFE150DCKR的封装形式为SOT-23，这种小型封装适合高密度电路板设计，同时具备良好的散热性能。
此外，该器件的温度稳定性优异，可以在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能，适用于各种工业和消费类电子产品。
JFE150DCKR广泛应用于射频放大器设计，特别是在无线通信系统中，如收发器前端放大器、信号链中的缓冲器等。
由于其高输入阻抗和低噪声特性，它也常用于音频放大器和传感器信号调理电路。
在测试设备和测量仪器中，JFE150DCKR用于实现高精度信号放大和处理。
此外，该器件还可用于低功耗模拟开关电路和电压控制衰减器等应用场合。
JFE150, JFE250, 2N5457, BF245C
