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JEB240RFB 发布时间 时间:2025/12/24 10:02:00 查看 阅读:23

JEB240RFB 是一款高性能的 N 沔道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  其封装形式为 TO-252 (DPAK),支持表面贴装技术(SMT),适用于高密度电路板设计。

参数

最大漏源电压 Vds:60V
  最大栅源电压 Vgs:±20V
  连续漏极电流 Id:30A
  导通电阻 Rds(on):4mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总栅极电荷 Qg:90nC
  输入电容 Ciss:2750pF
  反向恢复时间 Trr:85ns
  工作结温范围 Tj:-55°C 至 +175°C

特性

JEB240RFB 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,提高整体能效。
  2. 快速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 高额定电流能力,满足大功率需求。
  4. 强大的热稳定性,可在宽温度范围内可靠运行。
  5. 小型化封装,便于 PCB 布局优化。
  6. 提供出色的 ESD 和雪崩保护能力,增强系统的鲁棒性。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

JEB240RFB 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动器中的功率级控制。
  4. LED 照明驱动电路。
  5. 工业自动化设备中的负载切换。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  7. 各类消费电子产品中的功率管理单元。

替代型号

STMicroelectronics - STP30NF06L
  Infineon - IRFZ44N
  ON Semiconductor - FDP5800
  Vishay - SiHF40DG
  这些替代型号在电气参数和封装形式上与 JEB240RFB 具有较高的兼容性,具体选型需根据实际应用需求进行详细对比分析。

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