时间：2025/5/26 18:05:33
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JEB180P0402是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景中。这款器件采用了先进的制造工艺，能够提供较低的导通电阻以及较高的电流承载能力，同时具备良好的开关性能。
JEB180P0402适用于电源管理、电机驱动、负载开关等应用领域，尤其在要求高效率和小体积的设计中表现出色。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：180A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：90nC
开关时间：开启延迟时间 35ns，关断下降时间 12ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
该器件具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流，适合大功率应用环境。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，提高高频操作性能。
4. 具备强大的雪崩能力和ESD保护功能，提高了器件的可靠性和耐用性。
5. 工作温度范围宽广，适应多种极端工作条件。
6. 小尺寸封装，节省PCB空间，适合紧凑型设计需求。
JEB180P0402广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换电路。
2. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电机控制模块。
3. 工业自动化设备中的负载开关和电机驱动。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理。
5. 各类DC-DC转换器和升降压转换器。
6. 高效节能的大功率LED驱动电路。
IRFP2907, FDP18N04, IXFN180N04T2
