时间：2025/6/16 10:40:44
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JEB140RFB是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。这种器件通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种开关应用中。
JEB140RFB能够在较高的电压和电流条件下工作，同时保持较低的能量损耗，使其成为许多高效能电子设备的理想选择。其封装形式通常为TO-220，能够方便地集成到各种电路设计中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：35A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：78nC
开关时间：典型值ton=35ns，toff=50ns
结温范围：-55℃至+150℃
JEB140RFB具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 高效率的开关性能，适用于高频应用。
3. 强大的电流承载能力，支持高达35A的连续漏极电流。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能正常工作。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 可靠性高，适合长时间运行的关键任务应用。
7. 封装形式便于散热和安装，提高了系统的整体性能。
JEB140RFB广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
6. 其他需要高效能功率开关的应用场景。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5570
IXFN30N06T
AO3400
