JCS8N60F-O-F-N-B是一款由JIECANG(杰昌)公司生产的8英寸N沟道功率MOSFET,适用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的硅技术制造,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,非常适合用于电源转换器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备等应用领域。该MOSFET的封装设计便于散热,能够在高负载条件下稳定运行。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):160A
最大漏源电压(VDS):60V
导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
功率耗散(PD):200W
JCS8N60F-O-F-N-B具有多项显著的性能特点。
首先,其低导通电阻(RDS(on))仅为5.5mΩ,能够显著降低导通损耗,提高系统的整体效率。这对于需要高能效的电源管理应用尤为重要。
其次,该器件具备较高的漏极电流承载能力,最大漏极电流可达160A,适合高电流负载的应用场景,如电机驱动和电池管理系统。
此外,该MOSFET的最大漏源电压为60V,适用于中高电压应用。其栅极电压范围为±20V,能够适应多种驱动电路的设计需求。
在热性能方面,JCS8N60F-O-F-N-B采用TO-263(D2PAK)封装,具有优异的散热能力,能够在高负载条件下保持较低的工作温度,从而提高器件的可靠性和寿命。
最后,该器件的开关速度较快,能够实现高效的开关操作,减少开关损耗,适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用场景。
JCS8N60F-O-F-N-B广泛应用于多个领域。
在电源管理系统中,它被用于DC-DC转换器、同步整流器和电源模块,能够提供高效的能量转换和稳定的输出电压。
在电机控制和驱动领域,该MOSFET适用于直流电机驱动器、电动工具和机器人控制系统,其高电流承载能力和低导通电阻能够确保电机的高效运行。
此外,JCS8N60F-O-F-N-B还常用于电池管理系统(BMS),支持电动汽车、储能系统和便携式设备的高效充放电管理。
工业自动化设备也是其主要应用领域之一,可用于工业电机驱动、PLC控制模块和自动化生产线的电源管理部分。
由于其优异的热性能和可靠性,该MOSFET也适用于需要长时间高负载运行的工业设备和电源供应器。
SiHF8N60DDC、IPB80N06S4-03、IRF1405、STP150N6F7、FDMS86180