JCS7N80FH是一款N沟道增强型功率MOSFET,由JCS(杰森)公司生产,广泛用于电源管理、开关电源、LED驱动、DC-DC转换器等应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于高效率和高可靠性的电源系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压(VDSS):800V
最大漏极电流(ID):7A
导通电阻(RDS(ON)):约1.2Ω(典型值)
栅极电压(VGS):±30V
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220、TO-251、TO-252等
最大功耗(PD):50W
JCS7N80FH具有优异的电气性能和稳定的可靠性。其高耐压能力达到800V,使得该器件能够在高压环境下稳定工作,适用于各种高电压转换和功率控制场合。导通电阻较低,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高电流和高温环境下长期运行。快速开关特性减少了开关损耗,提高了整体系统的响应速度和能效。该器件还具备良好的抗静电能力和抗浪涌能力,增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
JCS7N80FH广泛应用于各种电源系统中,包括开关电源、LED恒流驱动电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化控制设备。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,该MOSFET非常适合用于高效率和高可靠性的电源设计中。
STP7NK80ZFP STP7NK80T STP7N80K5 STP7N80WF5