JCS5N50FT是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的平面技术,具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性等特点。其500V的漏源击穿电压(VDS)使其适用于高电压操作环境,同时具备良好的开关性能,能够满足高效率电源系统的需求。JCS5N50FT通常采用TO-252(DPAK)封装形式,适用于表面贴装技术(SMT),便于在各类电子设备中集成。
类型: N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS): 500V
最大漏极电流(ID): 5A(连续)
最大栅源电压(VGS): ±30V
导通电阻(RDS(on)): 最大1.8Ω(典型值1.5Ω)
功率耗散(PD): 50W
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
封装类型: TO-252(DPAK)
JCS5N50FT具有多项优异的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其高耐压特性(500V VDS)使其适用于多种高压应用,如开关电源、AC/DC转换器和电机驱动电路。其次,该MOSFET的低导通电阻(RDS(on))确保在导通状态下功率损耗最小化,从而提高系统效率并减少散热需求。
此外,JCS5N50FT具备良好的热稳定性和过载能力,能够在高温环境下稳定工作。其TO-252封装不仅体积小巧,便于PCB布局,还具有良好的散热性能,确保器件在高电流工作时仍能保持较低的温升。栅极驱动电压范围宽(通常为10V),使得其可以与常见的PWM控制器兼容,适用于多种开关电路设计。
该器件还具备快速开关特性,减少开关损耗,提高整体系统效率。其低输入电容(Ciss)和输出电容(Coss)有助于减少高频工作下的驱动损耗,适用于高频开关应用。JCS5N50FT还具备较高的雪崩能量耐受能力,增强其在突变负载条件下的可靠性。
JCS5N50FT广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。其主要应用包括开关电源(SMPS)、DC/DC转换器、AC/DC电源适配器、LED照明驱动电路、电机控制模块、电池充电器以及工业自动化设备中的功率开关电路。
在开关电源中,JCS5N50FT可作为主开关器件,用于实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高耐压能力,适用于反激式和正激式电源拓扑结构。在LED照明系统中,该MOSFET可用于驱动高功率LED模组,提供稳定的电流控制并提高整体能效。
此外,JCS5N50FT也适用于家用电器、电动工具和电动车控制系统中的电机驱动和功率调节电路。其高可靠性和良好的热管理特性使其能够在恶劣环境下稳定运行,适用于工业级应用需求。
由于其封装形式适合表面贴装工艺,JCS5N50FT也可用于高密度PCB设计,如通信设备、服务器电源模块和消费类电子产品中的高效电源管理方案。
5N50C, 5N50F, FQA5N50C, FQA5N50F