JCS4N60FB 时间：2025/8/11 4:08:48 阅读：6

JCS4N60FB是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种高效率电源转换器和负载开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　导通电阻(Rds(on))：约2.5Ω（典型值）
　　封装形式：TO-220

特性

JCS4N60FB具有出色的性能特点，包括高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性。该器件的600V漏源电压使其能够适应高电压应用场景，同时其4A连续漏极电流能力确保了在较高负载条件下稳定运行。导通电阻约为2.5Ω，有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，提高了系统的可靠性和耐用性。其TO-220封装形式便于散热，适合安装在需要高效散热的电路中。JCS4N60FB还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用。

应用

JCS4N60FB广泛应用于各类电源管理系统和开关电路中，例如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED驱动电路、电机控制电路以及负载开关电路等。它也常用于工业自动化设备、消费类电子产品以及通信设备中作为高效率的功率开关元件。在这些应用中，该MOSFET能够提供稳定的开关性能，降低能量损耗，并提高整体系统的效率。