类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.8Ω（根据具体测试条件）
　　功率耗散（PD）：50W（Tamb=25℃）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

JCS4N60B MOSFET具有优异的电气性能和热性能，适用于高效率开关应用。其高耐压能力（600V）使其能够在高压系统中稳定工作。
　　该器件的低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率并减少了散热需求。
　　JCS4N60B采用了先进的工艺技术，具备良好的雪崩能量承受能力和过载保护性能，增强了器件在恶劣工况下的可靠性。
　　此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小电源系统的体积和重量。
　　其封装形式如TO-220或TO-252提供了良好的散热能力和机械强度，适合各种工业级应用环境。

JCS4N60B广泛应用于各类电源系统中，包括AC-DC适配器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源和电机驱动电路。
　　在家电领域，如电磁炉、电饭煲等产品中，它可用于功率控制与电源管理。
　　在工业控制设备中，JCS4N60B常用于继电器替代、负载开关和高频逆变器设计。
　　此外，该MOSFET也适用于UPS（不间断电源）、照明控制系统以及新能源设备如光伏逆变器等应用中，提供高效、稳定的功率控制解决方案。

4N60B、FQP4N60C、KSC4N60B、STP4NK60Z、2SK2141