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JC82539RDE 发布时间 时间:2025/10/29 20:06:33 查看 阅读:7

JC82539RDE是一款由杰华特(JWAT)推出的高集成度、高性能的电源管理芯片,主要用于宽输入电压范围的DC-DC转换应用。该器件集成了多个同步降压变换器通道,适用于为复杂的数字系统如FPGA、ASIC、微处理器等提供多路核心电压。芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备高效率、低静态电流和出色的动态响应能力。其封装形式为小型化的QFN或DFN类型,有助于节省PCB空间并提升功率密度。JC82539RDE支持多种工作模式,能够根据负载条件自动切换以优化能效,在轻载时进入节能模式,满载时保持稳定的输出性能。此外,该芯片内置全面的保护机制,包括过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)以及热关断功能,确保系统在异常情况下仍能安全运行。通过外部电阻分压网络可调节各通道输出电压,也可通过使能引脚实现上电时序控制,满足复杂系统的启动需求。

参数

型号:JC82539RDE
  制造商:杰华特(JWAT)
  器件类型:多通道同步降压DC-DC控制器
  输入电压范围:4.5V ~ 18V
  输出通道数:3路独立降压输出
  最大输出电流:通道1: 3A, 通道2: 2A, 通道3: 2A
  开关频率:300kHz ~ 1MHz(可调)
  反馈参考电压:0.6V ±1%
  工作结温范围:-40°C ~ +125°C
  封装形式:QFN-24L(4mm x 4mm)
  静态电流:典型值45μA(待机模式)
  控制架构:电流模式PWM控制
  可调软启动功能:支持外部电容设置启动时间
  电源良好(Power Good)信号输出:具备
  工作湿度:≤85% RH(非凝结)
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C

特性

JC82539RDE具备高度集成的电源管理架构,内部集成了多个高压侧和低压侧MOSFET驱动器,支持构建高效的同步整流拓扑结构,显著降低导通损耗并提升整体转换效率。芯片采用峰值电流模式控制架构,提供快速的瞬态响应能力和良好的环路稳定性,能够在负载突变时迅速调整占空比以维持输出电压稳定。每个输出通道均可独立配置,支持从0.6V起始的可调输出电压范围,覆盖主流数字芯片的核心供电需求。其开关频率可通过外部电阻精确设定,便于在效率与EMI之间进行权衡设计,并支持多相并联扩展以应对更高电流的应用场景。
  该芯片内置完善的保护机制,包括逐周期电流限制、打嗝模式过流保护、输出过压钳位及自动恢复功能,有效防止因短路或过载导致的器件损坏。热关断电路在芯片温度超过安全阈值时自动关闭输出,并在温度回落至正常范围后尝试重启,提升了系统的可靠性与鲁棒性。此外,JC82539RDE支持可编程软启动功能,可通过外接电容设定启动斜率,避免输入电源在上电过程中出现过大冲击电流。其使能引脚(EN)允许系统通过逻辑电平控制芯片启停,配合电源良好(PGOOD)信号输出,可实现多电源轨之间的上电时序协调,广泛适用于通信设备、工业控制模块及嵌入式计算平台中的复杂供电架构。

应用

JC82539RDE广泛应用于需要多路精密供电的电子系统中,典型应用场景包括现场可编程门阵列(FPGA)的核芯与I/O电源分配,特别是Xilinx或Intel系列FPGA的配套电源方案。其高集成度特性使其成为工业自动化控制器、PLC模块及数据采集设备的理想选择,可在有限空间内实现紧凑型多路电源设计。在网络通信领域,该芯片可用于路由器、交换机中的ASIC或DSP供电,提供高效且稳定的电压输出。此外,在嵌入式计算平台如边缘AI推理设备、智能网关及工业HMI中,JC82539RDE能够为ARM架构处理器或SoC芯片提供所需的多路电源轨,例如CORE、DDR、IOVDD等。由于其宽输入电压适应能力,该芯片也适用于基于12V背板供电的分布式电源系统,作为中间级POL(Point-of-Load)转换器使用。医疗电子设备、测试仪器及便携式工业终端等对可靠性和能效要求较高的场合,也能从中受益。得益于其低静态功耗和高转换效率,该器件同样适合用于电池供电或待机功耗敏感的应用环境,在保证性能的同时延长系统续航时间。

替代型号

JW52539RDE

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