类型：PNP
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100 V
　　最大集电极电流（IC）：16 A
　　最大功耗（PD）：200 W
　　直流电流增益（hFE）：20 - 100（典型值，特定测试条件下）
　　增益带宽积（fT）：未指定（典型用于低频功率应用）
　　集电极-基极击穿电压（BVCBO）：100 V
　　发射极-基极击穿电压（BVEBO）：6 V
　　饱和压降（VCE(sat)）：2.0 V（在IC = 16 A, IB = 4 A条件下）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +200°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +200°C
　　封装形式：TO-3

JANTXV2N6784的核心特性之一是其卓越的高功率处理能力与热稳定性。该晶体管的最大功耗可达200W，结合TO-3金属封装提供的优良散热性能，使其能够在持续高负载条件下稳定运行。其集电极电流额定值高达16A，适用于需要驱动大电流负载的应用，如电机控制、电源逆变器和高功率音频放大器。更重要的是，该器件具备出色的二次击穿耐受能力，这是高功率BJT的关键安全指标。二次击穿是指在高电压和大电流同时作用下，局部区域发生热失控并导致永久性损坏的现象。JANTXV2N6784通过优化的晶圆设计和掺杂工艺，显著提高了SOA（安全工作区）边界，确保在瞬态过载或开关应力下仍能维持器件完整性。
　　另一个关键特性是其军用级可靠性与环境适应性。JANTXV等级意味着该器件经过全面的筛选流程，包括高温反向偏置测试（HTRB）、温度循环、机械冲击和振动测试等，确保其在极端条件下的长期稳定性。器件的结温范围可达+200°C，远高于商用器件的+150°C限制，适用于高温发动机舱或深井探测设备等严酷环境。此外，TO-3封装具有良好的气密性，防止湿气和污染物侵入，进一步提升寿命和可靠性。
　　电气性能方面，JANTXV2N6784在宽电流范围内提供稳定的直流电流增益（hFE），通常在20至100之间，具体取决于工作点。尽管其频率响应较低，不适合高频开关或射频应用，但在低频功率控制中表现出色。其低饱和压降（VCE(sat)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。同时，器件具备较低的漏电流，在关断状态下能有效防止不必要的功耗和误触发。这些特性使其成为高可靠性模拟和数字功率系统的理想选择。

JANTXV2N6784广泛应用于对可靠性要求极高的军事和航空航天电子系统中。其主要用途包括军用电源管理系统，如直流-直流转换器和线性稳压电源，其中该晶体管作为串联调整元件，负责调节输出电压并承受高输入-输出压差。在此类应用中，其高功耗能力和宽温度工作范围至关重要，确保在飞行器、舰船或地面车辆电源波动时仍能稳定供电。
　　在电机驱动系统中，JANTXV2N6784可用于驱动高功率直流电机或执行机构，常见于导弹制导系统、雷达天线转向机构和飞机襟翼控制系统。其大电流驱动能力和抗瞬态冲击特性，使其能够应对电机启动时的浪涌电流和反电动势。
　　此外，该器件也用于高功率音频放大器和信号放大系统，特别是在需要高保真度和稳定输出的军用通信设备中。虽然现代系统多采用MOSFET或集成电路，但在某些遗留系统或特殊设计中，BJT因其线性特性和可预测行为仍被保留使用。
　　在工业和能源领域，JANTXV2N6784可用于高可靠性工业控制系统、核设施监测设备和深空探测仪器，这些场合对元器件寿命和故障率有极高要求。其密封封装和抗辐射能力也使其适用于部分航天器子系统。总之，凡是在极端环境或关键任务中需要高功率、高可靠PNP晶体管的场合，JANTXV2N6784都是一个值得信赖的选择。

2N6784
　　MJ15030
　　MJ15031
　　TIP36C