JANTXV2N5416U4是一种高性能的SRAM(静态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高速数据存取和低延迟的场景。该器件采用CMOS技术制造,具有高可靠性和稳定性,适用于军事、航空航天及其他高要求环境下的应用。其主要功能是为系统提供临时数据存储空间,支持快速读写操作。
该型号中的‘JANTXV’代表其符合军用标准,表明其能够在极端温度和恶劣环境下稳定工作,同时具备较强的抗辐射能力。
存储容量:524288字节(512K x 8位)
工作电压:5V
访问时间:10ns
封装形式:CerDIP
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
引脚数量:24
数据保持时间:无限(在供电条件下)
1. 军用级设计,确保在极端温度条件下的可靠性。
2. 高速访问时间,仅为10ns,适合对性能要求极高的应用。
3. 静态存储器架构,无需刷新操作,简化了系统设计。
4. 单一电源供电,降低了电源管理复杂度。
5. 抗辐射增强设计,适合航天和其他高辐射环境的应用。
6. 符合MIL-PRF-38535标准,确保高可靠性和一致性。
7. 支持异步读写操作,方便与多种处理器接口连接。
JANTXV2N5416U4常用于需要高可靠性和快速数据处理的领域,包括但不限于:
1. 航空航天电子系统,如卫星、火箭及飞行器控制单元。
2. 军事通信设备,如雷达系统、导航装置。
3. 工业自动化控制器,特别是在高温或低温环境中使用的设备。
4. 医疗成像设备,要求实时数据处理和存储。
5. 数据采集系统,例如地震监测仪器和其他科学实验设备。
6. 安全监控设备,特别是那些需要长时间无故障运行的场合。
CY7C1041BV33, AS6C4008