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JANTXV2N5416U4 发布时间 时间:2025/5/24 18:55:58 查看 阅读:15

JANTXV2N5416U4是一种高性能的SRAM(静态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高速数据存取和低延迟的场景。该器件采用CMOS技术制造,具有高可靠性和稳定性,适用于军事、航空航天及其他高要求环境下的应用。其主要功能是为系统提供临时数据存储空间,支持快速读写操作。
  该型号中的‘JANTXV’代表其符合军用标准,表明其能够在极端温度和恶劣环境下稳定工作,同时具备较强的抗辐射能力。

参数

存储容量:524288字节(512K x 8位)
  工作电压:5V
  访问时间:10ns
  封装形式:CerDIP
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  引脚数量:24
  数据保持时间:无限(在供电条件下)

特性

1. 军用级设计,确保在极端温度条件下的可靠性。
  2. 高速访问时间,仅为10ns,适合对性能要求极高的应用。
  3. 静态存储器架构,无需刷新操作,简化了系统设计。
  4. 单一电源供电,降低了电源管理复杂度。
  5. 抗辐射增强设计,适合航天和其他高辐射环境的应用。
  6. 符合MIL-PRF-38535标准,确保高可靠性和一致性。
  7. 支持异步读写操作,方便与多种处理器接口连接。

应用

JANTXV2N5416U4常用于需要高可靠性和快速数据处理的领域,包括但不限于:
  1. 航空航天电子系统,如卫星、火箭及飞行器控制单元。
  2. 军事通信设备,如雷达系统、导航装置。
  3. 工业自动化控制器,特别是在高温或低温环境中使用的设备。
  4. 医疗成像设备,要求实时数据处理和存储。
  5. 数据采集系统,例如地震监测仪器和其他科学实验设备。
  6. 安全监控设备,特别是那些需要长时间无故障运行的场合。

替代型号

CY7C1041BV33, AS6C4008

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JANTXV2N5416U4参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/485
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)300 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)2V @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)1mA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 50mA,10V
  • 功率 - 最大值1 W
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度-65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-SMD,无引线
  • 供应商器件封装U4