时间：2025/7/26 4:51:31
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JANTXV2N3879 是一款由 Vishay（威世）生产的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要高可靠性和高稳定性的电子系统中。该器件属于增强型N沟道MOSFET，适用于电源管理和开关电路。JANTXV2N3879 采用 TO-204（TO-3）金属封装，具备优良的热传导性能，能够在高温环境下稳定工作。这款MOSFET是符合军事标准（MIL-STD）的产品，适用于航空航天、国防系统以及工业控制等关键应用领域。
类型：增强型N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8A
导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（典型值）
最大功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-204（TO-3）
安装类型：通孔安装
极性：N沟道
技术：MOSFET
JANTXV2N3879 是一款高性能的增强型N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性。其导通电阻仅为0.25Ω，这使得在开关过程中能够实现更低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。该器件的最大漏极电流为8A，在100V的漏源电压下能够稳定工作，适用于中高功率的开关电源、电机控制和负载开关等应用场景。
JANTXV2N3879 采用 TO-204（TO-3）金属封装，具有良好的散热性能，确保在高温或高功率条件下依然保持稳定运行。这种封装形式也增强了器件的机械强度和环境适应能力，适用于震动、高温和潮湿等严苛环境条件。
该MOSFET具备±20V的栅源电压耐受能力，使其在驱动电路设计中具有更高的灵活性。由于其增强型结构设计，在栅极电压为零时，器件处于关闭状态，只有在施加适当的正向栅极电压时才会导通，这种特性非常适合用于数字控制电路中的开关应用。
此外，JANTXV2N3879 符合军事标准（MIL-STD），被广泛用于航空航天、国防系统、工业自动化和高端电源管理系统中。这类应用场景通常要求元器件具备极高的可靠性和长期稳定性，而 JANTXV2N3879 正是为此而设计的。在使用过程中，建议为该器件配备适当的散热器，以确保其在高负载条件下不会因过热而导致性能下降或损坏。
JANTXV2N3879 广泛应用于多个高可靠性领域，包括但不限于航空航天、国防系统、工业控制系统、电源管理、直流电机控制、负载开关、电源转换器（如DC-DC转换器）以及高功率开关电源。该器件特别适用于需要在高温、高压或高振动环境中稳定工作的电子设备。
SiHF10N100E, IRF150, FDPF10N100, STP10NK100ZFP
