时间：2025/6/19 6:34:45
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JANTXV1N6326US 是一款军用级别的 N 沟道增强型硅功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Vishay Siliconix 系列产品。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特性，能够承受恶劣的工作环境，并满足严格的军用标准 MIL-PRF-19500 的要求。其典型应用包括开关电源、负载切换、电机控制以及各种需要高可靠性的电路设计。
型号：JANTXV1N6326US
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：600V
RDS(on)（导通电阻）：0.4Ω
ID（最大漏极电流）：12A
Ptot（总功耗）：75W
fmax（最高工作频率）：5MHz
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
JANTXV1N6326US 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：高达 600V 的 VDS 使得该器件能够在高压环境下稳定运行。
2. 军用级可靠性：符合 MIL-PRF-19500 标准，适合在极端条件下使用。
3. 低导通电阻：0.4Ω 的 RDS(on) 提高了效率并降低了功率损耗。
4. 耐高温性能：支持从 -55°C 到 +175°C 的宽温范围，适用于航空航天和工业领域。
5. 快速开关速度：支持高达 5MHz 的工作频率，满足高频应用需求。
6. 高浪涌电流能力：允许瞬态大电流通过而不损坏器件。
7. TO-247 封装：提供良好的散热性能和机械稳定性。
JANTXV1N6326US 广泛应用于对可靠性要求较高的场景，例如：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的电子开关。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 军事和航天领域的通信系统及电源管理模块。
5. 电池保护电路中防止过充或过放的保护功能。
6. 高压逆变器和变频器中的核心元件。
IRFP460, STP12NM60, FDP18N60C
