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JANTX2N7236U 发布时间 时间:2025/12/26 20:23:51 查看 阅读:13

JANTX2N7236U是一款符合军用标准的PNP双极结型晶体管(BJT),属于2N7236系列,采用金属密封封装,专为高可靠性、高温和高稳定性应用设计。该器件满足JANTX(Joint Army-Navy Transmission Line)军用认证标准,具备优异的环境耐受性,适用于航空航天、国防系统、卫星通信以及深井探测等极端工作条件下的电子设备。JANTX2N7236U由多家经QML(Qualified Manufacturers List)认证的半导体制造商生产,确保其制造过程符合MIL-PRF-19500军用规范要求。该晶体管具有良好的热稳定性和长期可靠性,在-55°C至+200°C的工作温度范围内保持性能一致性。其主要结构为PNP型,常用于低噪声放大、开关控制和电源管理电路中。由于其高增益特性与低漏电流表现,JANTX2N7236U在精密模拟信号处理和关键任务系统中具有重要地位。

参数

型号:JANTX2N7236U
  类型:PNP Bipolar Junction Transistor
  最大集电极-发射极电压(VCEO):40 V
  最大集电极电流(IC):50 mA
  最大功耗(Pd):300 mW
  直流电流增益(hFE):50 - 300 @ IC = 1 mA
  增益带宽积(fT):250 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +200°C
  封装形式:TO-18 (Metal Can)
  极性:PNP
  集电极-基极击穿电压(VCBO):60 V
  发射极-基极击穿电压(VEBO):6 V
  饱和压降(VCE(sat)):0.3 V @ IC = 10 mA, IB = 1 mA
  过渡频率(fT):250 MHz
  热阻(RθJA):400 °C/W
  认证等级:JANTX, MIL-PRF-19500 Qualified

特性

JANTX2N7236U具备卓越的高温工作能力,可在高达+200°C的结温下稳定运行,这使其特别适合部署在高温环境中,例如喷气发动机控制系统、深地层石油勘探仪器以及航天器内部模块。其金属密封TO-18封装有效防止湿气、腐蚀性气体和机械应力对芯片造成损害,显著提升了器件在恶劣环境中的寿命和可靠性。
  该晶体管具有低噪声系数和高输入阻抗特性,适用于前置放大器和微弱信号检测电路。其直流电流增益(hFE)在宽温度范围内保持高度稳定,避免因温度波动导致的增益漂移问题,从而保障系统精度。此外,JANTX2N7236U的低集电极截止电流(ICEO)进一步减少了静态功耗,提高了能效表现,尤其适用于电池供电或能量受限的远程传感节点。
  作为JANTX等级器件,JANTX2N7236U经过严格的筛选和测试流程,包括温度循环、恒定加速度、机械冲击、内部水汽含量测定(PIND)以及寿命加速试验,以确保每一颗器件都达到军用级质量标准。这种级别的筛选远超商业级或工业级产品,能够最大限度降低现场失效风险。同时,该器件支持可追溯性批次管理,便于在关键系统中进行故障分析和质量追踪。
  其高频响应能力(fT = 250 MHz)使JANTX2N7236U不仅可用于直流和低频开关应用,还可应用于射频小信号放大场景,如UHF频段前端缓冲器。结合其紧凑的金属封装尺寸,能够在空间受限的高密度电路板上实现高性能模拟功能集成。

应用

JANTX2N7236U广泛应用于对可靠性和环境适应性要求极高的军事与航天电子系统中。典型应用场景包括导弹制导系统的信号调理电路、战斗机雷达接收机的低噪声放大器、卫星姿态控制单元中的电源开关模块以及核反应堆监测设备内的隔离驱动电路。由于其能够在极端温度、强振动和辐射环境下持续工作,该器件也常被用于深空探测器和无人潜航器的核心控制板中。
  在航空电子领域,JANTX2N7236U用于飞行数据采集系统的传感器接口放大器,将来自压力、温度或加速度传感器的微弱电信号进行一级放大,确保后续ADC转换的精度。在地面雷达站和战略通信基站中,它被用作本地振荡器缓冲级或AGC(自动增益控制)环路中的有源元件,发挥其高线性度和低失真优势。
  此外,该器件还适用于高可靠性工业设备,如高温井下测井工具、核电站安全联锁系统以及铁路信号控制系统。在这些应用中,任何元器件失效都可能导致严重后果,因此必须选用经过严格筛选和认证的军规级组件。JANTX2N7236U凭借其长期供货保证、批次一致性和全面的测试文档支持,成为设计师在构建关键任务系统时的首选之一。

替代型号

2N7236UB
  JANTXV2N7236U
  JANS2N7236U
  SPN2N7236U

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JANTX2N7236U参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/595
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)220 毫欧 @ 18A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4W(Ta),125W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-267AB
  • 封装/外壳TO-267AB