类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：-3.0 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（ IDM）：-12 A
　　功耗（PD）：75 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +200°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +200°C
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 1.8 Ω @ VGS = -10 V, ID = -1.0 A
　　阈值电压（VGS(th)）：-2.0 V 至 -4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 220 pF @ VDS = -50 V, VGS = 0 V
　　输出电容（Coss）：约 60 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 100 ns
　　封装形式：TO-204AE（TO-3）
　　认证等级：JANTX，符合 MIL-PRF-19500 标准

JANTX2N6796U的核心特性之一是其卓越的高温工作能力，能够在高达+200°C的工作结温下长期稳定运行，这使其非常适合部署在高温油井探测、喷气发动机控制系统或深空探测器等极端环境中。该器件采用先进的平面DMOS（Double-Diffused MOS）工艺制造，确保了均匀的电场分布和优异的击穿电压稳定性。其P沟道结构允许在高端开关配置中直接驱动负载，尤其适用于需要简单驱动逻辑的电源切断或冗余切换电路。器件具备较低的导通电阻，在额定条件下可有效降低功率损耗，提高系统效率。同时，由于其固有的负电压关断特性，能够实现快速关断并减少开关瞬态应力。
　　另一个显著特点是其高可靠性设计。JANTX2N6796U经过100%的温度循环、功率老化、密封性和粒子碰撞噪声检测（PIND）测试，确保无内部污染和微裂纹。它还具备出色的抗辐射能力，能承受一定程度的总电离剂量（TID）而不发生性能退化，因此广泛应用于卫星电源系统和核反应堆监测设备。此外，该器件拥有良好的雪崩能量耐受能力，可在感性负载开关过程中承受瞬时过压冲击，避免因电压尖峰导致的永久损坏。
　　从电气特性来看，JANTX2N6796U具有稳定的阈值电压漂移特性，即使在长时间高温偏置下也能保持阈值电压变化小于10%，这对于长期无人值守系统的稳定性至关重要。其低栅极电荷（Qg）设计减少了驱动电路的能量需求，使得它可以与简单的CMOS或FPGA I/O接口直接匹配，无需复杂的栅极驱动器。TO-3金属封装不仅提供了优异的散热路径，还可方便地安装在大型散热器上，适用于高功率密度应用场景。整体而言，JANTX2N6796U代表了军用级功率MOSFET的技术巅峰，集成了高性能、高可靠性和环境适应性于一体。

JANTX2N6796U主要用于对可靠性要求极为严苛的军事和航天电子系统。例如，在战术导弹制导系统中，该器件可用于电池供电管理模块中的主电源开关，负责在发射前激活各子系统并在任务完成后安全断电。在卫星平台中，它被用于太阳能阵列调节器（SAR）或电池充放电控制器中的功率切换单元，利用其高耐压和抗辐射特性保障轨道运行期间的能源系统稳定性。此外，在战斗机航空电子系统中，该MOSFET可用于雷达发射机的高压电源控制电路，实现快速响应和故障隔离功能。
　　在深海探测器和石油勘探设备中，JANTX2N6796U常用于耐高温井下仪器的电源管理系统。这些设备往往需要在超过150°C的环境下连续工作数周甚至数月，普通商用器件无法胜任，而该器件凭借其宽温域和长期稳定性成为理想选择。在核设施监控系统中，其抗辐射能力和低漏电流特性使其适用于传感器前端供电开关，防止辐射诱导漏电造成误触发。
　　工业领域中，该器件可用于高安全性PLC（可编程逻辑控制器）的紧急停机电路，作为最后级别的电源切断装置。在铁路信号系统和高速列车牵引控制单元中，也可用作辅助电源的冗余切换开关。此外，在高精度测试测量仪器中，如示波器或频谱分析仪的高压偏置电路中，JANTX2N6796U能够提供干净、稳定的开关动作，减少噪声引入。总之，任何需要在极端物理条件和长期无人维护前提下保持功能完整性的系统，都是JANTX2N6796U的典型应用领域。

JANTXV2N6796U
　　JANS2N6796U
　　IRF9640SC
　　SPN2N6796U