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JANTX2N6770 发布时间 时间:2025/12/26 19:49:16 查看 阅读:8

JANTX2N6770是一款高可靠性的硅pnp功率晶体管,采用金属密封封装,专为军用和航空航天等高可靠性应用环境设计。该器件属于JANTX系列,符合MIL-PRF-19500标准规范要求,具有严格的测试、筛选和质量保证流程,确保其在极端温度、振动和辐射环境下的稳定工作能力。JANTX2N6770广泛应用于电源管理、电机控制、开关电路以及线性放大器等需要高耐压和高功率处理能力的场合。
  JANTX2N6770采用TO-3金属封装,具备优良的散热性能,能够承受较高的结温,适用于连续高功率运行场景。其制造工艺经过严格控制,所有器件均经过100%的参数测试和可靠性验证,包括高温反偏(HTRB)、高温存储寿命(HTSL)和热冲击测试等,确保器件长期服役的可靠性。该晶体管特别适合用于国防电子系统、卫星通信设备、雷达系统以及井下探测仪器等对元器件失效零容忍的应用领域。

参数

类型:PNP
  极性:PNP
  最大集电极-发射极电压(VCEO):80 V
  最大集电极-基极电压(VCBO):80 V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5 V
  最大集电极电流(IC):2 A
  最大功耗(Ptot):75 W
  工作结温范围(Tj):-65°C 至 +200°C
  封装形式:TO-3
  增益带宽积(fT):未指定
  直流电流增益(hFE):50 至 200(典型值,在IC = 100 mA时)
  饱和电压(VCE(sat)):1.0 V(典型值,在IC = 2 A, IB = 200 mA时)
  热阻(RθJC):约1.67 °C/W
  符合标准:MIL-PRF-19500/214

特性

JANTX2N6770的核心优势在于其卓越的可靠性和稳定性,这是通过其符合MIL-PRF-19500/214军用规范实现的。该规范要求器件在制造过程中进行完整的批次追溯、100%电性能测试以及严苛的环境应力筛选(ESS),以剔除早期失效器件。这种级别的筛选显著提高了器件的长期可靠性,使其平均故障间隔时间(MTBF)远超商业级或工业级产品。此外,该晶体管采用高纯度硅材料和先进的扩散工艺制造,确保载流子迁移率和掺杂均匀性达到最优水平,从而提升开关速度和降低导通损耗。
  该器件的TO-3金属封装不仅提供优异的热传导能力,还具备良好的电磁屏蔽性能,有助于在高噪声环境中保持信号完整性。封装材料经过特殊处理,具备抗腐蚀、防潮和抗辐射能力,可在极端气候条件下长期运行。JANTX2N6770的电气特性在宽温度范围内保持高度稳定,即使在-65°C的极低温或+200°C的高温环境下仍能维持正常功能。其较高的电流驱动能力和80V的耐压水平使其能够直接驱动中等功率负载,无需额外的驱动级,简化了电路设计。此外,该器件具备较低的饱和压降,有助于减少功率损耗和发热,提高整体系统效率。其线性区表现良好,可用于模拟放大应用,如音频或射频功率放大器。由于其高可靠性设计,JANTX2N6770常被用于冗余系统、飞行控制系统和关键通信节点中,作为核心开关或调节元件。

应用

JANTX2N6770主要用于对元器件可靠性要求极高的军事与航天电子系统中。典型应用包括军用雷达发射模块中的功率开关、航天器电源管理系统中的稳压与保护电路、导弹制导系统的信号调理单元以及卫星平台上的DC-DC转换器。由于其能够在极端温度、真空和强辐射环境下稳定工作,该器件也广泛应用于深空探测器和近地轨道卫星的有效载荷供电系统。在地面应用方面,JANTX2N6770常见于高可靠性工业控制系统,例如核电站安全监测设备、石油钻探用井下电子仪器以及高速列车的牵引控制单元。其高功率处理能力和长期稳定性使其成为替代继电器的理想选择,可用于电机启停控制、加热元件驱动和大电流负载切换等场景。此外,在需要高保真放大的模拟电路中,如低频功率放大器或线性稳压器的调整管,JANTX2N6770也能发挥出色性能。由于其符合军用标准,该器件还可用于保密通信设备、电子战系统和战术数据链终端,确保在复杂电磁环境下的持续运行能力。

替代型号

JANTXV2N6770
  JANTXV2N6770S
  MIL-PRF-19500/214 compliant 2N6770 variants

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JANTX2N6770参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/543
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)500 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)120 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4W(Ta),150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-3
  • 封装/外壳TO-204AE