时间：2025/7/25 9:02:20
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JANTX2N5667S 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高可靠性应用，例如航空航天、军事和工业控制系统。该器件采用 TO-254AA 封装，具有良好的热稳定性和电气性能。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
漏极电流（ID）：-1.4 A
功率耗散（PD）：30 W
导通电阻（RDS(on)）：1.8 Ω @ VGS = -10 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
JANTX2N5667S 具有出色的电气性能和耐用性，适用于高可靠性环境。其主要特性包括高击穿电压、低导通电阻和良好的热管理能力。此外，该器件具有高抗静电能力和过热保护功能，使其在恶劣环境中也能保持稳定运行。
这款 MOSFET 还具备良好的开关性能，能够在高频条件下提供高效的电能转换。其 TO-254AA 封装形式有助于散热，确保器件在高负载下仍能保持较低的温度。这使得 JANTX2N5667S 非常适合用于电源管理、直流-直流转换器和负载开关等应用。
在可靠性方面，JANTX2N5667S 符合 MIL-PRF-19500 和 JANS 标准，适用于航空航天和军事设备。它在极端温度和振动条件下仍能保持稳定的电气性能，因此被广泛用于关键任务系统中。
JANTX2N5667S 主要应用于航空航天、军事电子、工业控制系统和高可靠性电源设备。其典型应用场景包括功率开关、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载控制以及高可靠性电子系统的电源管理模块。
JANTX2N6660, IRF9Z24S, IRF9L20N
