类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：8A（在25°C下）
　　最大功耗(Pd)：75W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.25Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-204（TO-3）金属封装

JANTX2N3013 MOSFET 具备多项优异特性，适合高可靠性及高功率应用场景。
　　首先，该器件的漏源耐压高达100V，使其能够适应中高压电源系统，如开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路等。
　　其次，该MOSFET具有8A的最大连续漏极电流能力，在功率开关和放大电路中表现出色。其导通电阻为0.25Ω，虽不如现代低Rds(on) MOSFET那样低，但在当时的设计标准中仍具有良好的效率表现。
　　JANTX2N3013 采用 TO-204（TO-3）金属封装，有助于快速散热，提升在高功率工作条件下的稳定性和寿命。此外，该封装形式在工业和军用设备中广泛使用，具备良好的机械强度和环境适应能力。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，具有一定的过压容忍能力，但建议使用合适的栅极驱动电路以确保稳定运行。
　　该器件的高工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于极端环境，如航空航天、军工装备和工业控制系统等。
　　JANTX2N3013 属于 JANTX 系列军用标准器件，符合 MIL-PRF-19500 标准要求，具有高度的可靠性与一致性，适用于对质量与寿命要求极高的应用场景。

JANTX2N3013 主要应用于需要高可靠性和高功率处理能力的电子系统中。例如，其被广泛用于电源管理模块，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和负载开关。在工业自动化设备中，它可用于控制电机、继电器和执行器等高功率负载。
　　此外，JANTX2N3013 还常见于军工设备和航空航天系统，如雷达、通信设备、飞行控制系统和测试仪器等。其金属封装和宽工作温度范围使其特别适合在恶劣环境下运行。
　　在音频放大器设计中，该器件也可用于功率输出级，提供良好的线性度和效率表现。
　　由于其良好的散热特性和高可靠性，JANTX2N3013 也常用于老旧设备的维修和替换，尤其是在需要维持原有设计规范和性能指标的场景中。

2N6764, IRF540, IXTP8P100, 2N6660