JANTX1N6068是一款金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛用于需要高效功率管理的电路中。该器件具有高电压和电流处理能力,适用于电源转换、马达控制、逆变器等应用。JANTX1N6068采用TO-220封装,是一种N沟道增强型MOSFET,具有较低的导通电阻和快速开关特性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):20A
最大漏-源电压(VDS):500V
最大栅-源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):0.27Ω(最大)
功耗(PD):125W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
JANTX1N6068具有优异的性能和可靠性,其主要特性包括高耐压能力和较大的额定电流,使其适用于高功率应用。该MOSFET的低导通电阻可减少导通损耗,提高系统效率。此外,JANTX1N6068具备快速开关能力,有助于减少开关损耗并提高电路的响应速度。其TO-220封装提供良好的散热性能,能够承受较高的功耗。该器件还具有良好的热稳定性和抗过载能力,适用于各种工业和电源管理应用。
JANTX1N6068的设计使其能够在高电压和高电流条件下稳定运行,适用于开关电源、DC-DC转换器、照明镇流器和马达控制电路。其高可靠性和耐用性也使其在汽车电子和工业设备中广泛应用。
JANTX1N6068适用于多种功率电子应用,包括开关电源(SMPS)、逆变器、DC-AC功率转换器、马达驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备。该MOSFET也可用于高电压直流电源管理、电池充电器和UPS(不间断电源)系统。在汽车电子领域,JANTX1N6068可用于车载电源转换器、电动车辆的驱动系统以及车载照明控制电路。
IRF840, IRFP460, FQA20N50