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JANTX1N6055 发布时间 时间:2025/7/16 12:50:31 查看 阅读:10

JANTX1N6055是一种军用级别的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高可靠性应用设计。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性,适用于高频功率转换电路。其符合MIL-PRF-19500标准,能够在极端温度和恶劣环境下保持稳定性能。
  JANTX1N6055主要应用于航天、军工以及高可靠性工业领域,能够承受较大的电流和电压波动,同时具备良好的抗干扰能力。

参数

类型:MOSFET
  极性:N通道
  漏源击穿电压:600V
  漏极电流:5.5A
  栅极电荷:48nC
  导通电阻:1.7Ω
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

JANTX1N6055的特性包括以下几点:
  1. 军用级质量保证,满足MIL-PRF-19500标准。
  2. 高击穿电压(600V)使其适合高压应用。
  3. 低导通电阻(1.7Ω),有助于降低功耗。
  4. 快速开关能力,减少开关损耗。
  5. 宽工作温度范围(-55℃至+175℃),适用于极端环境下的应用。
  6. 具备较高的电流承载能力(5.5A)。
  7. 稳定性和可靠性经过严格测试,适合长期运行。

应用

JANTX1N6055广泛用于以下领域:
  1. 航天器电源管理系统中的功率转换。
  2. 军用设备中的DC-DC转换器。
  3. 高频逆变器和开关电源。
  4. 工业控制中的电机驱动。
  5. 极端环境下的电子系统保护电路。
  6. 高可靠性电池充电管理电路。
  由于其出色的性能和可靠性,JANTX1N6055成为许多关键任务应用的理想选择。

替代型号

TX1N6055
  JHF6055
  MCR15DM600T3G

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