JANS2N6989U是一种由Vishay公司生产的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-3封装形式。该器件适用于高功率开关应用,能够承受较高的电压和电流,广泛应用于工业控制、电源转换以及电机驱动等领域。其设计基于先进的硅技术,具有较低的导通电阻和优秀的开关性能。
最大漏源电压:1200V
连续漏极电流:8A
功耗:175W
栅极阈值电压:4V
导通电阻:5.5Ω
工作温度范围:-65℃ to 175℃
JANS2N6989U具备出色的电气性能和可靠性。
1. 高压耐受能力,适合高压应用场景。
2. 较低的导通电阻,有助于减少功率损耗。
3. 支持高频开关操作,提升系统效率。
4. 具有良好的热稳定性和抗浪涌能力。
5. 符合严格的军用标准,适用于恶劣环境下的使用需求。
6. TO-3封装提供了良好的散热性能,便于集成到大功率系统中。
JANS2N6989U被广泛用于需要高压切换的应用场景中:
1. 工业级电源开关。
2. 大功率电机驱动器。
3. 不间断电源(UPS)系统。
4. 开关模式电源(SMPS)。
5. 高压逆变器及转换器。
6. 军事与航空航天设备中的关键元件。
7. 可再生能源发电系统的电力调节单元。
IRFP460, STP17NB60Z, FQA14P12E