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JANS2N6989U 发布时间 时间:2025/5/15 16:46:12 查看 阅读:9

JANS2N6989U是一种由Vishay公司生产的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-3封装形式。该器件适用于高功率开关应用,能够承受较高的电压和电流,广泛应用于工业控制、电源转换以及电机驱动等领域。其设计基于先进的硅技术,具有较低的导通电阻和优秀的开关性能。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:8A
  功耗:175W
  栅极阈值电压:4V
  导通电阻:5.5Ω
  工作温度范围:-65℃ to 175℃

特性

JANS2N6989U具备出色的电气性能和可靠性。
  1. 高压耐受能力,适合高压应用场景。
  2. 较低的导通电阻,有助于减少功率损耗。
  3. 支持高频开关操作,提升系统效率。
  4. 具有良好的热稳定性和抗浪涌能力。
  5. 符合严格的军用标准,适用于恶劣环境下的使用需求。
  6. TO-3封装提供了良好的散热性能,便于集成到大功率系统中。

应用

JANS2N6989U被广泛用于需要高压切换的应用场景中:
  1. 工业级电源开关。
  2. 大功率电机驱动器。
  3. 不间断电源(UPS)系统。
  4. 开关模式电源(SMPS)。
  5. 高压逆变器及转换器。
  6. 军事与航空航天设备中的关键元件。
  7. 可再生能源发电系统的电力调节单元。

替代型号

IRFP460, STP17NB60Z, FQA14P12E

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JANS2N6989U参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格50 : ¥2,234.00200散装
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/559
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型4 PNP(四路)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)800mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)1V @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大值1W
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度-65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-SMD,无引线
  • 供应商器件封装6-SMD