时间：2025/4/29 19:18:47
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JANS2N2920U是一种由Vishay生产的高压、高频率的N沟道MOSFET晶体管。它采用TO-247封装形式，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等需要高效功率转换和控制的场景。该器件具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于工业和消费电子领域。
型号：JANS2N2920U
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-247
漏源极电压(Vds)：1200V
栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：2.5Ω（在Vgs=25V时）
功耗(Ptot)：180W
工作温度范围：-65℃至+175℃
JANS2N2920U是一款专为高压应用设计的MOSFET器件。其特点包括：
1. 高耐压能力，能够承受高达1200V的漏源极电压，适合多种高压电路环境。
2. 具备较低的导通电阻，在额定电压下可以有效降低导通损耗，提高效率。
3. 优秀的开关性能，支持高频操作，有助于减少磁性元件体积并优化系统设计。
4. 可靠性高，能够在极端温度条件下稳定运行，适应恶劣的工作环境。
5. 强大的散热能力，通过TO-247封装提供良好的热传导路径。
JANS2N2920U因其卓越的电气特性和可靠性，成为高压功率转换应用的理想选择。
JANS2N2920U主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，如AC/DC适配器、充电器等。
2. 逆变器，用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)。
3. 电机驱动，包括家用电器和工业设备中的直流无刷电机控制。
4. 脉宽调制(PWM)控制器，用于各种电子负载调节。
5. 高频功率转换器和其他需要高电压和高效能的电子电路。
由于其高压和高效性能，JANS2N2920U在这些领域中表现出色。
IRG4PC20UD
FQA17P120E
IXTN15N120H3
STW11N120DM3
