类型：双极性晶体管（NPN x2）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小值，典型配置）
　　封装类型：CDIP（陶瓷双列直插）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C

JANS1N4485C 具备多项卓越的电气和物理特性，使其在高可靠性系统中表现出色。首先，其采用陶瓷双列直插封装（CDIP），提供了极佳的机械稳定性和热稳定性，适合在极端环境条件下使用，如高温、低温或高振动场合。
　　该器件内置两个独立的NPN晶体管，每个晶体管均具有高达30V的集电极-发射极击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于多种放大和开关电路设计。晶体管的最大集电极电流为100mA，最大功耗为300mW，适用于中低功率应用。
　　其电流增益（hFE）最低为110，确保了良好的信号放大性能。此外，该晶体管的增益带宽积（fT）为250MHz，使得它能够在较高频率下稳定工作，适用于射频和高速数字电路中的应用。
　　JANS1N4485C 的工作温度范围为-55°C至+125°C，符合MIL-STD-883标准，适用于航空航天、军事装备、工业控制系统等对可靠性和环境适应性要求极高的应用场景。
　　此外，该器件的高可靠性和长期稳定性使其成为替代分立晶体管在多级放大电路、逻辑门电路、缓冲器和驱动电路中的理想选择。

JANS1N4485C 主要用于需要高可靠性和环境适应性的关键系统中。典型应用包括航空航天电子设备、军事通信系统、高精度测量仪器、工业自动化控制系统以及需要长期稳定运行的嵌入式系统。
　　由于其双晶体管结构，JANS1N4485C 可用于构建差分放大器、达林顿对管、电平转换电路、逻辑门电路以及缓冲器等电路模块。在电源管理电路中，它可作为低噪声稳压器的驱动晶体管使用。此外，在高频信号处理和放大电路中，该器件也表现出良好的性能，适合用于射频前端和数据通信接口电路。
　　因其符合军用标准，JANS1N4485C 也广泛用于卫星通信系统、导弹制导系统、雷达设备和航空电子设备等关键任务系统中，确保系统在极端环境下仍能稳定运行。

JAN1N4485C, LM394, LM395, JANS1N4486C