类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：20A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.045Ω（在Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB

JAN2N5631具有多项优异的电气和热性能，适用于高要求的应用环境。其主要特性包括：
　　? 低导通电阻(Rds(on))：在Vgs=10V时，Rds(on)的典型值为0.045Ω，这有助于减少导通损耗，提高能效。
　　? 高电流承载能力：最大连续漏极电流可达20A，使其适用于高功率密度设计。
　　? 高可靠性：该器件按照MIL-PRF-19500军用标准制造，具备优异的稳定性和耐用性，适用于军事和航空航天等关键应用。
　　? 高耐压能力：漏源电压最大可达60V，栅源电压容限为±20V，适用于多种电源转换和控制电路。
　　? 优秀的热管理能力：封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　? 快速开关特性：具有较低的输入电容和开关损耗，适合高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　这些特性使得JAN2N5631成为一款适用于各种高可靠性系统的理想功率MOSFET。

JAN2N5631广泛应用于对性能和可靠性要求极高的系统中，主要应用场景包括：
　　? 军事和航空航天系统：由于符合MIL-PRF-19500标准，该器件适用于雷达、导航设备、飞行控制系统等关键军事和航空航天应用。
　　? 电源管理系统：用于高效率的电源转换器和稳压器，如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等。
　　? 电机驱动和负载开关：其高电流承载能力和低导通电阻使其适用于电机控制、继电器替代和负载切换应用。
　　? 工业自动化设备：在自动化控制系统中用于电源管理、高频开关控制等场合。
　　? 太阳能逆变器和储能系统：用于太阳能逆变器中的功率转换部分，以及储能系统的充放电控制电路。
　　? 汽车电子系统：虽然不是专为汽车设计，但其高可靠性和热稳定性使其可用于汽车电子中的功率管理应用。

2N6764, IRFZ44N, SiHF60N06E, IXTH20N60B2