时间：2025/9/2 15:15:52
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JAN2N5486是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种电子设备中。该器件由美国Microsemi公司制造，适用于高效率、高速开关和功率放大器应用。JAN2N5486是军用级别的电子元件，具有可靠的性能和稳定性，适用于恶劣环境下的工作条件。
类型：N沟道
工艺：MOSFET
封装类型：TO-205AD
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏极-源极电压（VDS）：100V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
最大耗散功率：83W
JAN2N5486具有多项显著特性，首先，其N沟道增强型结构提供了优异的导通特性和较低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。其次，该器件的高耐压能力（VDS最大100V）使其在高压应用中表现出色，适合用于电源管理电路和功率放大器。此外，JAN2N5486的军用级设计确保了其在极端温度和环境条件下的可靠性，适用于航空航天、军事设备和工业控制系统等高要求场景。该MOSFET的TO-205AD封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性，便于散热和安装。最后，JAN2N5486的高速开关能力使其适用于DC-DC转换器、电机控制和负载开关等高频应用，为系统设计提供了灵活性和高性能。
JAN2N5486广泛应用于多个领域，包括航空航天和军事电子系统、工业电源和电机驱动、高效率DC-DC转换器、功率放大器和负载开关控制电路。由于其军用级别的可靠性，该器件也常用于需要长期稳定运行的恶劣环境设备中。
2N6764, IRF540, FDPF540N, FQP50N06L
