类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω
　　最大功耗(Pd)：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-3

JAN2N2600 的最大漏源电压为 200V，使其适用于高电压开关应用。该器件的最大漏极电流可达 8A，在合适的散热条件下可承受较大的负载电流。其导通电阻为 0.25Ω，虽然在现代 MOSFET 中并不算低，但在当时属于较高性能水平。该器件的 TO-3 封装具有良好的散热性能，适合在高温环境下工作。
　　JAN2N2600 的最大功耗为 75W，表明其具备较强的功率处理能力。在航空航天和军事应用中，该器件常用于电源管理、DC-DC 转换器和电机控制电路。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保其在极端环境条件下仍能稳定运行。该器件还具备良好的抗辐射和抗振动能力，符合 JAN（Joint Army Navy）标准，适用于高可靠性场景。

JAN2N2600 由于其高可靠性和优异的功率处理能力，广泛应用于航空航天、军事电子、工业控制系统和高可靠性电源设备中。在航空航天领域，该器件常用于卫星电源系统、飞行控制系统和通信设备中的 DC-DC 转换器和稳压电路。在军事装备中，JAN2N2600 被用于雷达系统、导弹控制电路、电源管理模块等关键部件。此外，在工业自动化系统中，该器件可用于电机驱动、继电器替代、高功率开关以及不间断电源（UPS）设计。
　　由于其坚固的 TO-3 封装和优异的热管理性能，JAN2N2600 也适用于需要长期稳定运行的工业电源设备。例如，在大功率放大器、焊接设备和测试仪器中，该器件可作为主开关元件使用。尽管现代 MOSFET 在性能上有所提升，但由于其长期稳定性和可替代性，JAN2N2600 仍在一些特定的高可靠性系统中继续使用。

2N2600, IRF260, IRF262, IRF263, IRF264