类型：PNP型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-18金属封装
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA时为50-300（根据等级不同）

JAN2N1874 作为军用规格晶体管，其制造过程符合美国军用标准MIL-PRF-19500，确保了在极端环境下的稳定性和一致性。其金属封装结构不仅具有良好的散热性能，还能提供优良的机械强度和抗电磁干扰能力。该晶体管具备较高的击穿电压，适用于需要较高电压耐受能力的电路设计。
　　此外，JAN2N1874具有良好的频率响应特性，适用于中高频放大电路。其电流增益（hFE）在不同等级中可选，用户可以根据具体应用需求选择合适的增益档次。晶体管的低噪声系数和良好的线性度也使其在模拟信号放大中表现出色。
　　由于其高可靠性，JAN2N1874常用于军事通信设备、航空航天电子系统、精密仪器仪表以及工业控制系统等关键领域。该器件在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于恶劣工况下的电子系统。

JAN2N1874 主要应用于对可靠性要求极高的军事、航空航天和高端工业设备中。典型应用包括高频放大器、射频（RF）电路、开关电路、电源管理模块、传感器接口电路以及精密测量仪器中的信号处理单元。此外，它也常用于老旧的军用通信设备、雷达系统和导航装置中作为关键的放大和开关元件。

2N1874, 2N3906, BC557, MPSA56