类型：PNP双极性晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：40V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-18金属封装
　　频率响应：250MHz（典型值）
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于电流和配置）

JAN2N1014晶体管具有出色的高频性能，适用于射频（RF）和中频（IF）放大器设计。其PNP结构提供了良好的电流控制能力，适用于各种开关和放大应用。该器件采用TO-18金属封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，能够适应高温、高湿和振动等恶劣环境条件。JAN2N1014符合MIL-STD认证，确保其在关键系统中的可靠性，例如航空航天、国防和工业控制系统。该晶体管的电流增益范围较宽，支持多种电路设计配置，包括共发射极、共基极和共集电极电路。其低噪声特性使其在前置放大器和信号增强电路中表现优异。此外，JAN2N1014的功耗较低，适用于电池供电设备和低功耗电子系统。

JAN2N1014主要应用于高频放大器、射频（RF）电路、中频（IF）放大器、振荡器和信号处理电路中。它也常用于开关电路、电压调节器和逻辑门电路设计。由于其高可靠性和军用标准认证，JAN2N1014广泛用于航空航天、国防电子、通信设备和工业控制系统。此外，该晶体管还可用于音频放大器、测试设备和传感器电路，以提供稳定的信号放大和控制功能。在嵌入式系统和模拟电路中，JAN2N1014也可作为关键的有源元件，支持多种电子设备的运行。

2N1014, 2N3906, BC557, PN2907