类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-3.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值85mΩ @ VGS = -4.5V；最大值120mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（Vth）：典型值-1.0V，范围-0.8V至-1.5V
　　输入电容（Ciss）：约350pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

J1951M作为一款P沟道增强型MOSFET，具备多项优异的电气与热性能特性，适用于多种电源开关应用场景。其最显著的特点之一是具有较低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = -4.5V时典型值仅为85mΩ，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。尤其是在电池供电设备中，低RDS(on)意味着更小的发热和更长的工作时间，对于提升能效至关重要。
　　该器件的阈值电压（Vth）较低且稳定，典型值为-1.0V，可在较低的栅极驱动电压下实现快速导通，适合与逻辑电平信号直接接口，无需额外的电平转换电路。这一特性使其在微控制器控制的电源管理设计中尤为受欢迎，例如在单片机唤醒系统或休眠模式下的外设供电控制中表现优异。
　　J1951M采用SOT-23小型封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。尽管封装尺寸较小，但其仍能承受高达-1.8A的连续漏极电流，满足大多数中低功率负载开关需求。此外，器件具有较高的输入阻抗和低栅极电荷（Qg），进一步降低了驱动功耗和开关损耗，提升了高频工作的可行性。
　　热稳定性方面，J1951M的工作结温可达+150°C，具备良好的过温耐受能力，适合在工业级环境温度范围内可靠运行。内置的体二极管也提供了反向电流保护功能，在感性负载切换时可有效防止电压反冲损坏电路。综合来看，J1951M凭借其低功耗、高可靠性、易于驱动和紧凑封装等优势，成为现代电子系统中理想的P沟道MOSFET选择之一。

J1951M广泛应用于各类需要高效电源控制的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电池供电管理，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等设备的负载开关或电源通断控制。在这些应用中，J1951M可用于控制不同模块的上电时序或实现节能关断功能，从而延长电池续航时间。
　　此外，该器件也常用于DC-DC转换电路中的同步整流或高端开关配置，特别是在低电压输入（如3.3V或5V）系统中，其低阈值电压和低导通电阻特性能够显著提升转换效率。在嵌入式控制系统中，J1951M可作为微控制器GPIO引脚驱动的电源开关，用于控制传感器、显示屏、无线模块等外设的供电状态，实现动态电源管理。
　　工业控制领域中，J1951M可用于PLC模块、智能仪表和远程I/O单元中的信号切换与隔离电源控制。由于其具备良好的温度适应性和长期稳定性，也可应用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐设备、ECU外围电路等。另外，在LED驱动电路中，该器件可用于实现简单的开关调光或故障保护功能。总体而言，J1951M适用于所有需要P沟道MOSFET进行低电压、中等电流开关控制的场景，尤其适合对空间和功耗敏感的设计。

Si2301DS
　　FDMC8201
　　AODM2012
　　ZXM61P02