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J111 发布时间 时间:2025/6/9 14:33:26 查看 阅读:4

J111是一种NPN型硅功率晶体管,主要用于开关和放大应用。该晶体管具有较高的电流增益和耐压能力,适用于多种电力电子设备中。它广泛应用于工业控制、家用电器以及电源管理等领域。
  这种晶体管的外形通常为金属封装,有助于提高散热性能,从而保证在高功率条件下的稳定运行。

参数

集电极-发射极电压:80V
  集电极电流:4A
  直流电流增益:30~150
  功率耗散:25W
  结温范围:-55℃~150℃

特性

J111晶体管具有良好的高频响应和较低的饱和电压,在开关应用中表现出优异的性能。
  此外,其较高的击穿电压和大电流承载能力使得该器件能够在较为严苛的工作环境下可靠运行。
  该晶体管还具备较短的开关时间,适合用于脉宽调制(PWM)等高频场景。同时,它的封装设计能够有效降低热阻,确保长时间运行时的温度稳定性。

应用

J111晶体管可广泛应用于各种电路中,例如电机驱动、继电器控制、电源开关、音频放大器以及其他需要功率放大的场合。
  在工业领域,它可以用来实现对大功率负载的精确控制;在家用电器方面,如洗衣机、空调等产品中也经常能看到其身影。
  此外,由于其优良的电气特性和性价比,J111也成为许多DIY项目中的首选功率晶体管之一。

替代型号

2N3055,MJ2955

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J111参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)20mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)-
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)35V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id3V @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 电阻 - RDS(开)30 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 包装散装
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 功率 - 最大625mW
  • 其它名称J111FS