时间：2025/9/9 2:05:51
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J10170 是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等高功率场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：12A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.14Ω（典型值）
功率耗散（PD）：30W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
J10170 MOSFET具有优异的导通性能和快速开关特性，能够有效降低能量损耗，提高系统效率。其低导通电阻（RDS(on)）确保在大电流工作状态下仍能保持较低的功耗，同时具备良好的热稳定性，适应高温环境下的运行。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，适用于多种驱动电路设计，具有较高的可靠性和稳定性。
该MOSFET还具备良好的短路和过热保护能力，在异常工况下可有效防止器件损坏，提高整体系统的安全性。TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于各种工业级和汽车级应用场合。
J10170常用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED照明驱动电路、负载开关控制以及自动化控制系统中的高侧或低侧开关应用。其高可靠性和良好的热性能也使其适用于汽车电子和工业自动化等对稳定性要求较高的环境。
IRF1010E, FDP10170, STP12N10
