漏源电压 VDS：500V
　　栅源电压 VGS：±30V
　　连续漏极电流 ID：10A
　　脉冲漏极电流 IDM：36A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　漏源导通电阻 RDS(on)：典型值 0.55Ω
　　输入电容 Ciss：典型值 900pF
　　输出电容 Coss：典型值 200pF
　　反向恢复时间 trr：典型值 150ns

IXZH10N50LB 具有多个显著的性能特点，首先，其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压应用场景，例如离线电源和工业电机控制。其次，该 MOSFET 的导通电阻较低，典型值为 0.55Ω，从而降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。
　　此外，IXZH10N50LB 采用了先进的封装技术，具备良好的热性能和机械稳定性，能够有效应对高温环境下的工作挑战。其快速的开关特性（如反向恢复时间 trr 仅为 150ns）也使得它在高频开关应用中表现出色，有助于减小电源系统的体积并提升响应速度。
　　为了确保器件在各种应用中的可靠性，IXZH10N50LB 还具备强大的抗雪崩能力和过载电流承受能力，能够在瞬态条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），使得与不同类型的驱动电路兼容性更高，简化了设计流程。
　　综合来看，IXZH10N50LB 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适用于各种要求严苛的电力电子应用场合。

IXZH10N50LB 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：该器件的高耐压和低导通电阻特性使其成为 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的理想选择，能够有效提升电源转换效率。
　　2. 电机控制：在工业自动化和电动工具中，IXZH10N50LB 可用于驱动直流电机和步进电机，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
　　3. 照明系统：在 LED 驱动器和 HID 灯镇流器中，该 MOSFET 可用于高频开关操作，实现更小的体积和更高的能效。
　　4. 不间断电源（UPS）：IXZH10N50LB 在 UPS 系统中可作为功率开关器件，确保在电网故障时快速切换并维持电力供应。
　　5. 电池管理系统：在电动车和储能系统中，该器件可用于充放电控制，确保电池组的安全和高效运行。

STP10NM50N, FQP10N50C, IRFBC40