时间：2025/8/6 3:02:33
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IXYT25N250CHV是一款由IXYS公司生产的高电压、高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压转换器、电源管理、电机驱动以及工业自动化设备中。该器件采用了先进的高压MOSFET制造工艺，具有良好的导通性能和较高的开关速度。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：25A
漏极-源极击穿电压（VDS）：2500V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值1.2Ω（最大1.5Ω）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247AC
IXYT25N250CHV具有多项优异特性，适用于高电压和高功率应用。其高耐压能力（2500V VDS）使其能够在高压系统中稳定运行，而低导通电阻则有助于降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的高功率耗散能力（300W）允许其在高负载条件下运行而不会产生明显的热问题。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路，同时具备良好的抗雪崩能力，提高了器件的可靠性。其TO-247AC封装形式便于安装和散热，适用于工业级环境下的长期运行。
该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减少开关损耗并提高系统的响应速度。这种特性在电源转换器、UPS系统和电机控制应用中尤为重要。
IXYT25N250CHV广泛应用于多个领域，包括但不限于高压直流电源转换器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、电焊机、感应加热系统以及高功率LED照明系统。由于其高耐压和高功率能力，该器件特别适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统。
IXYS IXFH25N250P, IXYS IXGT25N250T, Infineon FF25R250S4_B11
