时间：2025/8/6 1:20:10
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IXYP50N65C3 是由 Littelfuse（原 IXYS 公司）生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于工业控制、电源转换、马达驱动和电动汽车充电系统等场景。IXYP50N65C3 采用了先进的沟道技术和优化的封装设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（650V）以及良好的热稳定性，能够在高电流和高温环境下稳定工作。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：650 V
栅源电压 Vgs：±20 V
漏极电流 Id：50 A（最大）
导通电阻 Rds(on)：最大 0.175 Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Ptot）：200 W
输入电容 Ciss：2500 pF
短路耐受能力：有
雪崩能量额定值：有
IXYP50N65C3 的核心特性之一是其优异的导通性能和开关效率。该器件的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。此外，它具备较高的耐压能力（650V），能够在高压环境下可靠运行，适合用于高功率密度设计。
该 MOSFET 采用了先进的封装技术，具备良好的散热性能，有助于在高电流条件下维持较低的结温，从而提升器件的长期可靠性。此外，IXYP50N65C3 支持高频开关操作，适用于需要快速开关的 DC-DC 转换器、AC-DC 电源和逆变器系统。
另一个重要特性是其强大的短路和过载保护能力。该器件具有较高的雪崩能量承受能力，可在极端工况下提供额外的安全裕度。同时，其栅极设计允许在较宽的栅极驱动电压范围内正常工作，兼容常见的 10V 至 15V 驱动电路。
由于其优异的热稳定性和抗电磁干扰（EMI）性能，IXYP50N65C3 可广泛应用于各种恶劣环境，包括工业自动化、新能源汽车充电设备、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
IXYP50N65C3 广泛应用于需要高电压、高电流和高效率的功率电子系统中。例如，在工业电源系统中，该器件常用于高功率 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和电机驱动器中，以实现高效的能量转换和控制。
在新能源领域，IXYP50N65C3 常被用于电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、充电桩和太阳能逆变器中，支持高电压输入和高效率输出，满足绿色能源转换的需求。
此外，该器件还适用于不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热系统以及各种工业控制和自动化设备。其高可靠性和热稳定性使其成为高负载和高温环境下的理想选择。
STP55N65H3, FQA50N65, FDPF50N65, SPW55N65C3
