时间：2025/8/5 23:11:01
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IXYP20N65B3D1是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，适用于需要高效能和高可靠性的应用。该器件采用了先进的MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流能力和优异的热性能。
最大漏源电压(VDS)：650V
最大漏极电流(ID)：20A
导通电阻(RDS(on))：典型值为0.18Ω
最大功率耗散(PD)：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXYP20N65B3D1具备多种优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的高电流能力使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率输出设计。此外，该MOSFET具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了器件的可靠性。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制应用。
此外，IXYP20N65B3D1采用了TO-247封装，具有良好的散热性能，便于安装和散热设计。该封装形式广泛应用于工业级电源和功率模块中。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间，能够兼容多种驱动电路设计。
IXYP20N65B3D1广泛应用于各种高功率电子设备中，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和工业自动化设备。它也可用于电源管理和能量转换系统，如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
IXFH20N65B3D1, IRFP460LC
