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IXYP20N120C3 发布时间 时间:2025/8/6 9:04:59 查看 阅读:25

IXYP20N120C3是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于需要高效率和高可靠性的应用,例如电源转换器、电机控制、工业自动化以及高功率LED照明系统。该MOSFET采用了先进的平面技术,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,使其在高电压环境下依然能够高效运行。IXYP20N120C3采用了TO-247封装形式,便于散热并适用于大功率应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):1200V
  漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):0.32Ω
  栅极电荷(Qg):80nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXYP20N120C3具有多项出色的电气和热性能,适用于高电压和高功率应用。首先,该器件的漏源电压为1200V,能够在高压环境下稳定工作,适用于工业电源和逆变器等应用。其次,其导通电阻仅为0.32Ω,有效降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该MOSFET的漏极电流为20A,能够支持较高的负载能力,适用于中高功率设备。
  IXYP20N120C3采用了TO-247封装,具有良好的热管理和散热能力,适用于需要长时间高负载运行的应用场景。该器件的栅极电荷为80nC,开关速度较快,有助于降低开关损耗并提高系统响应速度。同时,其工作温度范围为-55°C至150°C,具备良好的耐温能力,能够在恶劣环境下稳定运行。
  该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压情况下保持稳定,提高系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽,通常为10V至20V之间,适用于多种驱动电路设计。IXYP20N120C3的高电压、高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源转换系统的理想选择。

应用

IXYP20N120C3广泛应用于多种高功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、工业自动化控制系统、高功率LED照明系统、不间断电源(UPS)以及光伏逆变器等。由于其高电压和高电流特性,该器件在电源转换和能量管理领域表现出色。在开关电源中,IXYP20N120C3可用于高压侧开关,实现高效能的能量转换。在电机驱动系统中,该MOSFET可用于控制直流电机或无刷电机的功率输出,提供稳定可靠的驱动能力。此外,该器件也适用于工业自动化设备中的电源管理和负载控制,确保系统在高压环境下稳定运行。
  在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和风能转换系统,IXYP20N120C3可用于高效能的DC-AC转换电路,提升整体系统的能量利用率。其高耐压能力和良好的热管理性能,使其在高温和高压环境下依然能够保持稳定的性能。此外,该MOSFET还可用于高功率LED驱动电路,提供高效的恒流输出,确保LED照明系统的稳定性和长寿命。

替代型号

IXFH20N120, IRGP50B120AGD1

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IXYP20N120C3参数

  • 现有数量0现货400Factory查看交期
  • 价格1 : ¥52.23000管件
  • 系列GenX3?, XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)40 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)96 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)3.4V @ 15V,20A
  • 功率 - 最大值278 W
  • 开关能量1.3mJ(开),500μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷53 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值20ns/90ns
  • 测试条件600V,20A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220-3