IXYP15N65C3是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高电压和高功率应用,具有优良的导通特性和低开关损耗。该MOSFET的额定电压为650V,最大连续漏极电流为15A,适用于需要高效能和高可靠性的电源系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):650V
栅源电压(Vgs):±30V
最大连续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.48Ω
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220AB
功率耗散(Pd):125W
IXYP15N65C3的主要特性包括其高耐压能力,能够在高达650V的电压下稳定工作,使其适用于高电压电源转换应用。该器件的低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,IXYP15N65C3具有良好的热性能,能够承受较高的工作温度,确保在恶劣环境下的可靠性。
这款MOSFET的封装形式为TO-220AB,便于安装在散热器上以提高散热效率。其±30V的栅源电压范围提供了良好的栅极驱动灵活性,适用于多种驱动电路设计。此外,IXYP15N65C3的开关特性优秀,具有较低的开关损耗,适合高频开关应用,如开关电源(SMPS)、电机控制和逆变器设计。
IXYP15N65C3广泛应用于需要高电压和中等功率处理能力的电力电子系统中。典型应用包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统。其高耐压和低导通电阻特性使其在DC-DC转换器和AC-DC电源转换器中表现出色。
此外,该MOSFET也适用于家用电器中的电源管理模块,如空调、洗衣机和冰箱中的变频控制电路。由于其良好的热性能和可靠性,IXYP15N65C3也常用于汽车电子系统中的电源管理模块,如车载充电器和电动助力转向系统。
IRF840, FDPF15N65S, STP15NK60Z