时间：2025/8/5 23:53:32
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IXYP10N65C3D1 是由 IXYS 公司生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高电压和高电流的应用，具备优良的热性能和高可靠性。这款 MOSFET 采用了先进的平面技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高击穿电压（650V），使其适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和开关电源等应用。IXYP10N65C3D1 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，适合在高温环境下运行。
型号: IXYP10N65C3D1
类型: N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压（VDS）: 650V
栅极-源极电压（VGS）: ±20V
漏极电流（ID）: 10A
导通电阻（RDS(on)）: 最大 0.75Ω
工作温度范围: -55°C 至 150°C
封装类型: TO-220
功率耗散（PD）: 83W
漏极-源极击穿电压（BVDSS）: 650V
栅极电荷（Qg）: 45nC
输入电容（Ciss）: 1000pF
IXYP10N65C3D1 具备一系列出色的电气和物理特性，确保其在高要求应用中的稳定性和效率。其主要特性包括：
首先，该器件具有高达 650V 的漏极-源极击穿电压（BVDSS），使其能够承受高电压应力，适用于高压电源和功率转换系统。
其次，IXYP10N65C3D1 的最大漏极电流为 10A，可以在高负载条件下提供稳定的电流传输能力。其导通电阻 RDS(on) 最大为 0.75Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。
此外，该 MOSFET 采用了先进的平面工艺技术，使其在高频开关应用中表现优异。栅极电荷（Qg）为 45nC，输入电容（Ciss）为 1000pF，这些参数确保了在高速开关操作中的低驱动损耗。
器件的封装形式为 TO-220，这种封装方式提供了良好的散热能力，并且与大多数 PCB 设计兼容，便于安装和维护。
最后，IXYP10N65C3D1 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应宽温度范围的工作环境，提高了其在恶劣条件下的可靠性。
IXYP10N65C3D1 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高压和中等电流处理能力的场合。典型应用包括：
在开关电源（SMPS）中，该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块和同步整流电路，提供高效的功率转换。
在电机控制领域，该器件可用于直流电机驱动器、步进电机控制器和无刷直流电机（BLDC）驱动电路中，实现精确的速度和扭矩控制。
此外，IXYP10N65C3D1 也适用于 UPS（不间断电源）、逆变器和太阳能逆变器系统，作为功率开关元件，负责能量的高效转换和管理。
在工业自动化设备中，该 MOSFET 常用于电源管理模块和负载开关控制，确保设备在各种负载条件下稳定运行。
由于其良好的高频特性和低导通电阻，IXYP10N65C3D1 还可用于高频感应加热设备和超声波清洗设备中的功率开关，实现高效能量传输。
STP10N65M5, FQP10N65C, FQA10N65C, IRFPG50
