您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXYN45N50

IXYN45N50 发布时间 时间:2025/8/6 3:35:25 查看 阅读:9

IXYN45N50 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高电流能力的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于多种高功率应用,如电源转换器、电机控制、DC-AC 逆变器以及工业自动化设备。IXYN45N50 采用了先进的技术,确保了在高频率下的高效能运行,同时具备较低的导通电阻和出色的热性能。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏极电流(ID):45A
  漏源击穿电压(VDS):500V
  栅源击穿电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.15Ω(最大值)
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXYN45N50 具备多项优异的电气特性。其低导通电阻(RDS(on))为0.15Ω,能够显著降低导通损耗,从而提升整体系统的效率。此外,该MOSFET支持高达45A的连续漏极电流,且在500V的漏源电压下稳定工作,使其适用于高电压和高功率的应用场景。
  器件采用了先进的平面技术,具有优异的开关性能,适合在高频条件下运行,从而减小外围电路的尺寸并提高系统响应速度。此外,IXYN45N50 的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动电路的损耗和开关时间。
  该MOSFET还具备出色的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,以进一步提升散热效率。IXYN45N50 还具备过温保护和短路保护功能,提高了系统的可靠性和耐用性。

应用

IXYN45N50 通常用于需要高电压和高电流能力的功率电子设备中。常见应用包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电机驱动和控制、太阳能逆变器、电焊设备以及工业自动化控制系统。此外,该器件也广泛应用于音频放大器和DC-DC转换器等需要高效能功率开关的场合。其优异的开关性能和热稳定性使其成为许多高可靠性应用的理想选择。

替代型号

STP45N50UFD, FQA44N50, IRFP460LC

IXYN45N50推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价