IXYN36N50 时间：2025/8/6 11:50:59 阅读：10

IXYN36N50 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压、高电流应用而设计。该器件广泛用于电源转换、电机控制、开关电源（SMPS）和各种工业电子设备中。IXYN36N50 具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于需要高可靠性和高性能的电路。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：36A（连续）
　　功耗（Ptot）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXYN36N50 MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。其高漏源击穿电压（500V）使其适用于高电压开关应用，如电源适配器、逆变器和直流电机控制器。该器件的低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，它具有较高的额定漏极电流（36A），能够处理较大的负载电流，适用于大功率应用。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，其封装（TO-247AC）具有优异的散热性能，确保在高功率环境下依然能够稳定运行。该器件的快速开关特性减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源和电机驱动器。此外，IXYN36N50 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许使用多种栅极驱动电路，提高了设计的灵活性。
　　在可靠性方面，IXYN36N50 具有较高的耐用性和长期稳定性，适用于工业级应用。其设计符合 RoHS 标准，确保环保制造工艺和材料使用。

应用

IXYN36N50 MOSFET 广泛应用于各种高功率和高电压的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、直流电机控制器、太阳能逆变器和功率因数校正（PFC）电路。由于其高电流处理能力和低导通电阻，该器件也常用于电池充电器、DC-DC 转换器和工业自动化设备中的功率开关。
　　此外，IXYN36N50 还可用于音频放大器中的电源部分、照明系统（如 HID 灯镇流器）以及电动工具和电动车的电机控制系统。其优异的开关特性和热管理能力使其成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。