时间：2025/8/6 2:18:15
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IXYN30N170CV1 是一款由 IXYS 公司制造的高功率碳化硅（SiC）MOSFET 晶体管，具有优异的导通和开关性能，适用于高效率、高频率的功率转换应用。
类型：N沟道碳化硅MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1700V
最大漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：120nC（典型值）
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247AC
功率耗散（Pd）：300W（最大值）
IXYN30N170CV1 采用了先进的碳化硅（SiC）半导体技术，提供极低的导通电阻和极快的开关速度，从而显著降低开关损耗。与传统的硅基MOSFET相比，该器件在高温下仍能保持优异的性能，有助于提升系统的整体效率。
此外，IXYN30N170CV1 具有较高的热稳定性和抗短路能力，使其适用于严苛的工作环境。其TO-247封装形式便于安装和散热管理，广泛应用于工业电源、电动汽车充电系统、可再生能源系统和高功率密度转换器中。
该器件的栅极驱动要求与标准硅基MOSFET兼容，简化了设计和驱动电路的集成。同时，其低电容和低电感特性进一步提升了高频工作的稳定性与效率。
IXYN30N170CV1 主要用于需要高电压和高效率的功率电子系统，如工业电源、电机驱动器、电动汽车（EV）车载充电器、光伏逆变器、储能系统以及高频DC-DC转换器等。其优异的热管理和高耐压特性也使其适用于恶劣环境下的电力电子应用。
SiC MOSFET替代型号包括：Cree/Wolfspeed 的 C3M0060065J、STMicroelectronics 的 SCT30N120、Infineon Technologies 的 IMW120R045M1H。
