时间：2025/8/6 13:05:13
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IXYN180N10是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电流和高效率的功率转换应用。该器件采用TO-247封装，适用于需要高耐压和大电流承载能力的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极-源极电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：180A
导通电阻(Rds(on))：典型值为8.5mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0V至4.0V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
IXYN180N10具有低导通电阻，可以显著降低传导损耗，提高系统的整体效率。其高电流承载能力使其适合用于高功率密度设计。
该MOSFET采用先进的沟槽式技术，确保了优异的热稳定性和可靠性，同时在高频操作下表现出色，适合用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。
此外，IXYN180N10具备出色的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣的工作条件下稳定运行，大大提高了设备的使用寿命和安全性。
该器件还具有快速开关特性，可以有效减少开关损耗，适用于高频开关电路。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热器的连接。
IXYN180N10广泛应用于工业电源、不间断电源(UPS)、焊接设备、电机驱动、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高功率领域。其高性能和高可靠性使其成为各种严苛环境下的理想选择。
IRFP4468, IXYS IXFN180N10T4, STP180N10F7AG
