时间：2025/8/6 7:29:06
阅读：21
IXYN100N120C3 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高电流 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率应用设计，能够在高达 1200V 的漏源电压下工作，并提供 100A 的连续漏极电流能力。IXYN100N120C3 采用 TO-247 封装，适用于工业控制、电源转换、电机驱动和可再生能源系统等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为 120mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
功率耗散（Ptot）：300W
栅极电荷（Qg）：约 170nC
短路耐受能力：有
IXYN100N120C3 的主要特性包括高击穿电压（1200V），使其适用于高电压应用；其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率；该器件具备良好的热稳定性和高功率耗散能力，适合在高温环境下运行；
此外，IXYN100N120C3 的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗；它还具备一定的短路耐受能力，增强了器件在异常工况下的可靠性；
该 MOSFET 采用 TO-247 封装，便于安装和散热管理，适合在多种功率电子电路中使用。IXYS 还提供详细的技术文档和应用指南，帮助工程师快速将其集成到设计中。
IXYN100N120C3 广泛应用于高功率电子系统中，包括但不限于工业电机驱动、逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电焊机、感应加热设备以及高压直流电源转换器等；
由于其高电压和高电流能力，该器件特别适合用于需要高压隔离和高效能的电源管理系统；在可再生能源领域，IXYN100N120C3 可作为太阳能逆变器或风力发电系统中的核心功率开关元件；
此外，该 MOSFET 也可用于工业自动化设备中的变频器和伺服驱动器，提供稳定可靠的功率控制性能。
IXFN100N120P、IXFN100N120T、IXTH100N120、IXFH100N120
